近期因為非美製記憶體面臨100%關稅的壓力，導致記憶體股大幅修正。
但記憶體的漲價風潮並未受到壓抑，根據最新市場調查與韓媒報導，三星（Samsung）與 SK 海力士（SK Hynix）兩大龍頭為了追求利潤極大化，正全力將產能從儲存型快閃記憶體（NAND Flash）移向獲利空間更大的高頻寬記憶體（HBM）與高階 DRAM。這項「棄 NAND 保 HBM」的戰略，正引發全球 NAND 晶片供需缺口的連鎖反應，預計將推升 2026 年價格持續狂飆。
根據市場研究機構 Omdia 與韓媒《Chosun Biz》的數據顯示，由於 HBM 與高階 DRAM 的需求與利潤遠優於 NAND Flash，兩大廠今年採取了「不增反減」的罕見策略：
三星電子（Samsung）： 全年 NAND 晶片產量預計由去年的 490 萬片下降至 468 萬片，減幅約 4.5%，產出水準甚至低於 2024 年景氣低迷期。
SK 海力士（SK Hynix）： 產量由 190 萬片降至 170 萬片，大幅減產 10.5%。
影響： 兩大廠合計減產量達 6.2%。考量到兩者全球市佔率合計逾 60%，此舉形同切斷了市場近一成的供給彈性。業界指出，NAND 晶片目前毛利率相對較低，在有限的晶圓代工與封裝產能下，廠商選擇「賺更多」的高階 DRAM，導致 NAND 供需缺口從原本的週期性波動轉向 3% 至 4% 的結構性短缺。
NAND 市場的驅動力正發生根本性轉變。過去 NAND 依賴智慧型手機與 PC 等消費性電子產品，但隨著 AI 推論（Inference）應用 大爆發，資料中心對高容量企業級 SSD 的需求呈現「結構性成長」：
AI 伺服器的高密度儲存需求： 資料中心正加速淘汰傳統硬碟（HDD），轉向大容量 QLC SSD。美系雲端服務業者（CSP）採購力道強勁，預計 2026 年第一季合約價將續漲 33%-38%。
邊緣 AI 與 AI PC： 群聯等大廠指出，新一代 AI 運算需要更高頻寬與更大容量的快閃記憶體支持，NAND 角色已提升為 AI 基礎建設 的核心一環。
面對全球供給緊繃與價格上行趨勢，具備領先技術與充足庫存的台廠成為此波「漲價財」的受益者：
1. 控制 IC 雙巨頭：群聯 (8299)、點序 (6485)
群聯 (8299)：
技術制霸： 於 CES 2026 發表最新 Pascari 系列企業級 SSD 與 PCIe Gen5 控制晶片，成功從消費性轉向高毛利的企業與雲端市場。
獲利預期： 法人預估群聯 2026 年 EPS 有望衝刺 70 至 80 元以上，其「策略性供貨機制」在缺貨潮中具備極強議價能力。
點序 (6485)：
金士頓加持： 受惠於大股東金士頓（Kingston）擴大在大陸與全球市佔，點序的控制 IC 需求爆發，月營收頻創歷史新高，營運動能強勁。
2. 模組大廠與下游族群：威剛、創見、十銓
威剛 (3260)、十銓 (4967)： 擁有大量低價庫存的模組廠，在報價逐季墊高的環境下，利差顯著擴大，帶動毛利率與獲利同步上修。
華邦電 (2344)： 主攻利基型 SLC NAND，受惠於原廠製程轉換排擠，在工控與車用領域報價同步回升，2026 年獲利展望看俏。
群聯執行長潘健成曾警告，原廠對擴產態度轉趨保守，即使現在啟動投資，新產能最快也要到2027年才能開出。在 AI 需求無止境成長、韓廠產能持續傾斜至 HBM 的情況下，NAND Flash 市場正進入一段「長尾漲價期」。
▲群聯日K線圖(圖片來源:Yahoo股市)
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