中國記憶體製造商長鑫儲存（CXMT）近日於上海證券交易所科創板（STAR Market）掛牌上市，首個交易日股價大幅上漲466%，並透過首次公開發行（IPO）募得約579億元人民幣。公司表示，募資資金將用於擴充產能、優化DRAM製程技術及投入下一代記憶體產品研發，持續提升市場競爭力。隨著中國積極推動半導體自主化，長鑫儲存的發展也受到全球市場高度關注。
根據市場研究機構統計，長鑫儲存今年第一季全球DRAM市占率已由去年同期約3%提升至8%，成為全球第四大DRAM供應商，僅次於三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）及美光（Micron Technology）。市場分析認為，中國近年持續投入記憶體產業發展，加上政策支持與資本投入，使本土業者快速擴張，在全球記憶體市場的重要性逐步提升。
不過，長鑫儲存近年也因技術來源問題受到關注。韓國法院日前分別對兩名前三星電子員工作出判決，認定涉及洩漏DRAM製程相關技術。其中，一名前主管因涉及18奈米DRAM製程技術外洩遭判處有期徒刑6年4個月，另一名前研究員則因涉及10奈米級DRAM技術案件，被判處7年有期徒刑。韓國檢方指出，相關案件涉及國家核心技術保護，並認為技術外流可能對韓國半導體產業競爭力造成衝擊。不過，長鑫儲存對相關案件的法律責任與事實認定，仍應以司法程序及最終判決結果為準。
近年各國也持續強化產業技術保護制度。台灣已修正《國家安全法》，將重大經濟及關鍵技術外洩納入更嚴格規範；美國則透過刑事司法制度提高商業機密竊取的刑責；韓國也修訂《產業技術保護法》，提高國家核心技術外洩案件的刑責與罰鍰。市場人士指出，在全球半導體競爭日益激烈、各國積極推動晶片自主化的背景下，技術保護、人才流動及智慧財產權管理，已成為半導體產業發展的重要課題，也將持續影響全球供應鏈競爭格局。
