南韓記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）執行長Kwak Noh-Jung（Kwak Noh-Jung）週四表示，印第安納州預計到2030年將成為該公司在美國高頻寬記憶體（HBM）的關鍵生產基地。SK海力士已於昨日舉行其位於印第安納州西拉法葉（West Lafayette）先進封裝設施的動土典禮，這項計畫總投資額達40億美元（約新台幣1,290億元）。
這座位於美國的全新工廠將聚焦於先進封裝技術，即將多個晶片堆疊整合的製程，而非前端晶圓製造。SK海力士規劃，高頻寬記憶體（HBM）晶片將在南韓及中國生產，隨後運送至印第安納州進行最終的封裝作業。該廠的首座無塵室預計於2028年10月啟用。
Kwak Noh-Jung 指出，此舉將為客戶提供「美國製造」的高頻寬記憶體新來源，同時強化美國半導體供應鏈，並為國家及經濟安全作出貢獻。印第安納州州長麥克·布勞恩（Mike Braun）則稱此為「印第安納州史上最大的開發計畫」。美國聯邦政府的「晶片法案」將為此設施提供高達4.58億美元的資金，印第安納州政府也將提供高達7.12億美元的獎勵方案。
這項投資預計將直接創造約1,000個工作機會，並透過施工及合作夥伴關係額外帶動6,000個相關職位。SK海力士計畫與普渡大學（Purdue University）等美國學府合作，培訓當地人才填補長期職位。該公司預期，到2030年，其在美國的總投資和資產將超過450億美元。
今年7月，輝達（Nvidia）與SK 集團（SK Group）達成一項價值5,000億美元的協議，承諾與SK海力士共同開發記憶體。美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）曾於7月呼籲SK海力士與三星電子在美國建立前端晶片製造廠。對此，SK海力士執行長Kwak Noh-Jung表示，公司正尋找合適機會，對未來進一步投資的地點持開放態度。
