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2019-03-14

國際IDM廠合作邀約  營運持續爆發63047

在投資人居高思危及外資法人於三月八日和十一日連兩天合計反手調節大賣二一三.九二億元壓抑下,指數再次回探一○二○四低點,不過,在多頭反彈格局不變,以及預期下檔於頸線或月線約一○二○○點附近有撐之下,在正聲廣播節目及飆股鑫天地LINE@上,老師也跟大家說過:若有壓回就是逢低布局的大好機會。隨著外資法人歸隊、季底法人作帳行情加溫,以及軋空行情如火如荼展開,後市仍不容小覷!

特別值得一提的是,每年三至四月進入上市櫃公司融券強制回補高峰期,對於一些高券資比題材,且又具備轉機成長題材之中小型股,往往隨著軋空行情展開,其股價表現也都相當強勁。

【個股推薦】嘉晶(3016)磊晶產量為全球第二大。主要利基題材有:

(1)業績表現亮眼:受惠磊晶矽晶圓供不應求及報價調漲利多激勵,推升二○一八年合併營收達四五.二四億元,歸屬母公司稅後淨利四.三億元,同創歷史新高,較前年大幅成長約一.三九倍,EPS一.五七元優於預期,董事會決議今年每普通股擬配發一元現金股利,股息配發率達六四%。

今年以來受矽晶圓需求轉弱影響,法人原預估嘉晶第一季營收恐季減二位數百分比,唯累計前兩個月合併營收六.八六億元,年增一一.四二%,表現優於預期,加上農曆年後國際IDM廠開始提高功率半導體投片,對磊晶矽晶圓採購見回溫,且矽晶圓出貨價格持平,預期第一季營收可望優於先前預期。

(2)營運前景看俏:嘉晶近幾年持續投入新一代功率半導體的磊晶矽晶圓研發及生產,包括超接面金氧半場效電晶體(MOSFET)、應用在電動車或5G基地台的SiC與GaN等新複合材料矽晶圓,都可望在今年開始提高出貨量。

受惠MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)及IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等功率元件強勁需求、報價調漲、國際IDM大廠擴大委外代工,以及因應電動車及自駕車、5G高速通訊、人工智慧及高效能運算(AI/HPC)等新應用快速崛起,包括Infineon、ON Semi、德儀等提前卡位第三代半導體關鍵材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)市場,嘉晶已投入GaN及SiC的矽晶圓及晶圓代工技術多年,加上國際IDM廠已對嘉晶釋出合作邀約,希望深化在超接面MOSFET、SiC及GaN等領域的合作,嘉晶將可望掌握致勝先機,今年營運持續爆發大成長可期。

(3)國內唯一同時提供碳化矽、氮化鎵兩種磊晶製程廠商:對應SiC、GaN基材材料特性所發展出的功率半導體晶片,如:MOSFET、IGBT等,於市場發展功率半導體應用時,亦將因基材特性提升、導入應用效果優化,超越以往因矽基材性能較低造成的應用限制。

因SiC、GaN基材具備更佳的低電流阻抗、高電能轉換效率、耐高溫及低過熱風險、耐高壓等運作優勢,結合動力模組的體積、重量同步縮減,有利電動車進一步延長「單次充電後行駛距離」,亦間接有助於全球電動車市規模持續擴大。因此,誰能掌握碳化矽與氮化鎵關鍵技術,將可望帶動未來營運及獲利大爆發。

根據券商報告表示,預估未來五年碳化矽與氮化鎵功率元件與模組的年複合成長率為二一%、八三%,嘉晶除了四吋SiC碳化矽、六吋氮化鎵已經正式出貨外,今年將更進一步導入六吋碳化矽磊晶製程。

【操作建議】低接不追高,股價已累積一段不小漲幅,不過,在內外資法人大戶力挺偏多不變,以及雙軋行情啟動(截至三月十二日,融券餘額達四七五○張,券資比達三九.九%),預期短線震盪換手整理過後(※基本面資料若有異動,依公開資訊觀測站最新訊息為主),只要「控盤指標」及「攻擊力道」可雙雙翻紅轉強,後市仍可望有一波軋空行情,基於風險考量,請設好停損停利(詳見附圖說明)。