法人指出，聯亞的核心技術護城河在於矽光子( SiPh)最關鍵的上游「磷化銦( InP)雷射光源」。由於矽材料本身為間接能隙無法高效發光，矽光子 PIC晶片須仰賴外部 InP連續波雷射( CW Laser)提供穩定光源；隨 AI叢集由800 G升級至1.6 T， CW Laser與 EML出現全球性供給吃緊。
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