全球高速運算(HPC)應用市場加速發展，有利直接拉高處理器運算效能、間接提高資料傳輸速度的「新世代高速記憶體」，市場應用需求加速成長，相關族群股後市看好。
台灣記憶體大廠華邦電子(2344)，DRAM記憶體產品企劃處處長先前曾提及，隨著MCU(微控制器)的製程節點，自原本的五五nm、四○nm，朝向二八nm推進，甚至進一步向一六nm移轉下，儘管記憶體尺寸上，都能符合IoT裝置「微型化」應用趨勢。但是，由於應用端對數據運算能力的要求較高，因此需搭載新一代「外部記憶體」作為數據緩衝(buffer)用途。
HyerRAM生態圈生力軍報到 華邦電成第三家供應廠
但傳統SDRAM、PSRAM記憶體皆已發展至成熟階段，無法針對「新興IoT應用」進行最佳化設計，且DRAM製程的轉移，亦以新一代「JEDEC DDRx/LPDDRx」產品傳輸規格為主，華邦電的「HyperRAM」採用三八nm製程，將持續朝向二五nm轉移。如果進一步考慮車用、工規應用場域長期供貨的市場需求， 華邦電HyperRAM的先進製程，亦可滿足客戶所需長壽產品生命週期。
華邦電認為，HyperRAM所具備「低腳數、低功耗」特性，可賦予IoT裝置顯著的優異特性。伴隨下游應用市場的逐漸增溫，相信將會有更多客戶採用此種新世代記憶體。目前，華邦旗下的HyperRAM產品線中，除三二Mb已進入量產外，六四Mb、一二八Mb預計去年第四季、今年第一季進入量產。此外，亦能以二四BGA(車規)、四九BGA、KGD不同產品形式供應客戶。其中，二四BGA尺寸為6x8 mm2，四九BGA尺寸則僅4x4 mm2，主力鎖定「消費性穿戴裝置」市場。
因此，由整體系統設計、產品使用壽命角度分析，HyperRAM已成為新興IoT裝置記憶體的理想選擇。華邦電強調，公司看到市場需求萌生，因此決定投注資源開發HyperRAM產品，為客戶提供不同的記憶體搭載選擇。同時，其相關應用生態系統的成熟，當然也是促成華邦電願意投入營運資源時的重要考量。
目前除Cypress之外，包括：NXP、Renesas、ST、TI等全球半導體業領先大廠，皆已提供支援HyperBus介面的MCU供貨，且未來其新產品線也將持續支援應用。此外，其控制介面開發平台也已就緒，Cadence、Synopsys、Mobiveil也已開始提供HyperBus記憶體用控制IP，可因此加速IC晶片業者開發設計時程。與其他Octal RAM相較之下，HyperRAM為應用環境最成熟者。同時，HyperRAM也規畫未來將納入JEDEC標準規範，成為JEDEC相容技術。華邦電加入HyperRAM陣營後，也將成為繼Cypress、ISSI之後第三家供應廠商，市場上客戶應用有以有更多下單選擇。
低腳數、低功耗、易於應用設計 HyperRAM為華邦電打開全新市場
華邦電子DRAM記憶體產品技術經理表示，「低腳數、低功耗、易於應用設計」，是『HyperRAM』三個最主要特性，因此能顯著提升終端裝置的效能。」
華邦電指出，傳統MCU的數據處理、運算能力、圖像顯示功能，有所侷限。但是，新興起的物聯網(IoT)裝置，如：車用電子、智慧家居、穿戴裝置、工業電子等各種終端應用，大多需要「外接觸控面板」，做為使用者指令控制圖像化介面，或需較強的「語音辨識」、「圖像處理」等邊緣運算功能，因此促成新一代「高效能(運算高效化)」、「低功耗」MCU市場逐漸興起。
對IoT應用領域而言，如果想要獲得市場成功接納，須滿足「運算效能、低功耗、低成本」等不同面向的產品設計考量。尤其對智慧音箱、智慧手錶等電子產品的電池供電裝置而言，除了可以提供豐富的IoT應用功能，以及親和、易用的人機介面之外，電池壽命更是影響產品能否成功熱銷的重要關鍵，「低功耗」的產品特性，自然日益重要。如果想要有長效的電池壽命，除須考慮MCU運作功耗之外，尚需搭配其他低功耗週邊零組件，HyperRAM的設計概念，正是以滿足此項要求為開發目標。
以華邦電旗下六四Mb HyperRAM為例，其待機功耗為九○uW1.8V，同容量SDRAM約為二○○○uW3.3V。更重要者，HyperRAM於Hybrid Sleep Mode下，運作功耗僅四五uW1.8V，與SDRAM的一般待機功耗相比，功耗差異非常顯著的。
另一方面，如果採用Low Power SDRAM，即便功率較為接近要求標準，但其封裝尺寸卻又大於HyperRAM，需要較大PCB面積，也不能算是理想的選擇。
此外，HyperRAM訊號接腳數僅有十三根，因此可大幅簡化PCB布局設計(layout)。如此一來，於設計終端產品時，即可用MCU其他電路(氣)接腳，實現更多應用功能，或是以選用更少接腳數MCU的方式，帶來更佳的成本效益。
HyperRAM簡化控制介面 具備自我刷新功能
HyperRAM的另一個特點，為簡化控制介面。HyperRAM為基於「PSRAM」架構的運算記憶體，具備自我刷新功能，除此之外，亦能自動回歸待機狀態。因此，系統端的記憶體使用可更加簡易，也可進一步簡化韌體、驅動程式的開發作業。
PSRAM(虛擬靜態隨機存取記憶體)，由一個「DRAM」主體核心與傳統「SRAM」介面所組成。晶片的刷新電路，可省略使用者需要刷新記憶體的考量。與傳統CMOS SRAM相較下，PSRAM具備更高容量、高速度、更小型化晶片尺寸，以及與DRAM可相容的應用優勢。
華邦電先前於一月時宣佈，FPGA製造商Gowin將在其最新「GoAI 2.0」機器學習平台中，採用華邦電64Mb HyperRAM高速記憶體裝置，華邦電產品因此進入全新市場領域。
另一方面，華邦電於五月二十五日宣佈，公司將與超低功耗微控制器(MCU)、系統級晶片(SoC)、即時時鐘(RTC)領域技術領導廠Ambiq合作，結合華邦電HyperRAM、Ambiq Apollo4二項產品優勢，提供物聯網終端和可穿戴設備，超低功耗系統的解決方案。
台灣記憶體大廠華邦電，持續強化利基型記憶體製程、產品線布局，二五奈米加強版DRAM製程D25s技術，可望於今年進入量產期程。同時，擴大HyperRAM、AI DRAM出貨動能，且四五奈米「NOR Flash」快閃記憶體製程開發亦稱順利，TrustME安全記憶體也已通過第三方獨立安全認證，並且獲得國際大廠採用。
法人估Q2營收上看二五○億元 華邦電下半年營收將逐季創高
華邦電今年第一季合併營收達二一三．二五億元，成功創下歷史新高紀錄。受惠記憶體價格上漲，因此推升季毛利率明顯回升，平均毛利率季增七．二個百分點，達三七．六％；歸屬母公司稅後淨利一五．八六億元，與前一季相較下，成長超過三．五倍，單季每股稅後淨利(EPS)○．四○元；季度獲利創下自二○一八年第三季以來，十一個季度的新高水準。
由於記憶體、轉投資新唐的微控制器(MCU)，第二季價格雙雙順利調漲，且出貨表現暢旺，法人機構因此看好華邦電第二季營收可上看二五○億元、續創新高，下半年營收亦將有望逐季續創新高。
華邦電現階段持續優化中科十二吋廠產能、製程，月產能規模已由原先五．四萬片提升達五．七萬片，利基型DRAM、NOR Flash為公司二大產品線，扮演推動成長雙引擎角色，持續為營運穩定基礎。華邦電利基型DRAM，已於去年順利導入二五奈米製程量產，下一代製程D25s開發正按照原本規劃進度進行中，預計今年可順利導入量產。
華邦電董事長焦佑鈞，於年度營業報告書中指出，伴隨5G相關基礎建設的逐漸到位，雲端服務、自動駕駛、物聯網、AI等應用技術也日益普及、成熟，加以「無接觸經濟」相關產業的快速興起，看好全球半導體、記憶體市場規模，因此可望進一步推升、成長向上。
台灣利基型記憶體大廠南亞科(2408)，公布五月份營收，因受惠市場拉貨需求持續，DRAM價格走高利多下，單月營收金額為七六．○四億元，較四月份成長二．八四％，與去年同期相比，成長三七．○二％年增率，創下自二○一八年十月以來，單月營收新高紀錄，累計前五個月營收總金額，達三二七．二九億元，與去年同期相較下，成長二七．九一％年增率。
南亞科10奈米級製程試產裝機 下世代DDR5設計開發加速進行
南亞科先前於致股東營業報告書中曾提及，今年記憶體售價將可止跌回升，整體產業有望順利走出循環谷底、邁向成長，同時也規劃新廠擴建作業，未來將以符合市場需求為目標，逐步增加記憶體產量。
展望後市，南亞科總經理李培瑛預估，DRAM市場供不應求將到今年底，看好DRAM價格將可逐漸回升。接下來，公司將投入更多研發資源，加速開發一○奈米級製程技術、新世代DDR5新品，DDR5預計今年下半年將開始試產。
南亞科基於看好DRAM產業後市前景之下，因此宣佈公司將砸下三○○○億元巨資，興建全新十二吋廠房，首創「雙層無塵室」設計模式，預定於二○二四年正式量產。
南亞科於去年積極佈局自主技術開發，第一代一○奈米級製程技術(1A)已完成試產線裝機，並配合第一顆 「八Gb DDR4」的設計完成，進入試產階段，今年下半年將開始客戶送樣認證及小量生產；第二顆為「下世代DDR5」，目前正持續設計開發中，預定於今年下半年開始試產。
有關「下世代DDR5」的運算效能表現方面，全球記憶體龍頭大廠三星(Samsung)先前曾於三月二五日對外宣布，已推出業界第一個基於High-K Metal Gate（HKMG）製程「五一二GB DDR5」記憶體模組，進一步擴展DDR5 DRAM產品組合。市場人士表示，基於HKMG製程的DDR5，其性能表現達前一代DDR4的二倍以上，而且速度高達七二○○MBPS，可滿足「人工智慧、機器學習、超級運算」等龐大資料量的處理、運算需求
南亞科同時表示，第二代一○奈米級製程技術(1B)開發功能性驗證晶片，目前已完成試製作，預計今年第三季開始試產首顆晶片。另一方面，南亞科為因應新廠房興建、1A製程技術量產、一般部門資本支出所需，全年度資本支出上限預計達一五六億元。
有關旗下二○奈米產品組合方面，南亞科今年仍將持續優化，除增加DDR4最高規格三二○○Mbps，於伺服器、PC OEM客戶認證外，也成功導入美國、中國、歐洲資料中心(data center)客戶，伺服器記憶體位元出貨量年增率將超過一五○％，約占去年總出貨量五○％。
同時，南亞科也將加速推廣二○奈米低功率產品，LPDDR4X四二六七Mbps最高規格產品正處於認證階段，未來鎖定應用目標市場有：汽車、攜帶型產品、工業等應用板塊，預料將可有效提高銷售彈性、產品價值。
5G、AI 等DRAM應用多元化 南亞科看好DRAM用量有增無減
以全球DRAM產業市場前景而言，南亞科表示，DRAM為所有電子產品智慧化重要關鍵元件，智慧型手機、伺服器/數據中心為目前市場最大應用板塊。未來，伴隨著各種消費型智慧化電子產品、5G、AI的持續發展，將繼續帶動DRAM應用區塊的多元化與DRAM用量的增加。
手機應用市場方面，隨著5G手機問世、銷售占比的逐年升高，配合內部記憶體的搭載數量提升下，看好今年度銷售量將可望倍增。
同時，全球5G基地台所需網路通訊、邊緣運算網絡設備，也同步提升內建DRAM使用數量；而伺服器/資料中心等，更需要提高DRAM裝載數量、加快資料處理速度，以切合5G、AI運算時，所需的大量資料、高頻寬、低延遲運轉標準。
同時，由於遠距工作及學習、智慧家庭等市場應用需求仍盛，使得筆電、平板電腦、固態硬碟(SSD)、電視等電子產品的拉貨需求，依舊持續強勁。此外，各種智慧型電子產品如：智慧攝像、智慧穿戴、遊戲機、智慧機器人、自駕車等，亦持續多元化應用發展方向未變。
南亞科規劃建新廠 導入先進製程擴產
為滿足市場要求、公司長遠發展前景，南亞科已規劃於目前的南林科技園區中，興建新廠房，將用以持續導入先進製程、產品，並進一步擴充產能，新廠預計於年底動土，建廠目標預定於二○二三年底前完工，於二○二四年開始裝機量產，產能規模則將視市場需求，規劃不同階段量能設置。
從DRAM市場供給面角度分析，南亞科表示，今年度供給端量能穩定成長，可望順利維持原有的市場供需平衡性：根據全球目前三大DRAM供應廠(三星、SK海力士、美光)的公開資訊中，所提供有關產能、資本支出的規劃，過去二年之間，各家DRAM廠皆審慎增加DRAM相關產出量，資本支出心態亦趨保守，因此，今年DRAM位元供給量的成長，主要仰賴各大廠相繼進行的製程轉換所致，預計DRAM位元供給量成長幅度實屬有限。
此外，根據市場研調機構分析報告，中國廠商後續量產規模，仍不致於影響到整體市場的供需平衡。就前述有關市場供需市況的綜合分析結論，預估今年全年度DRAM供應商的位元供給成長幅度，將會相當有限，而5G智慧型手機、資料中心的持續擴大發展、衝高市場滲透率，也有望促成DRAM位元需求出現較大成長幅度，全球整體DRAM產業因此可望趨向健康、正向發展。
伴隨全球高速運算(HPC)應用市場持續加速發展，有利直接拉高處理器運算效能、間接提高資料傳輸速度的「新世代高速記憶體」，市場應用需求現階段正持續增速中，預料台股相關「新世代高速記憶體」族群股，後市營運有望如虎添翼、加速衝高。
