市場高度關注的台積電2奈米製程傳出好消息，半導體供應鏈透露，台積電2奈米試產良率比預期佳，明年將如期量產，屆時將是全球最先進的製程技術，並將從新竹寶山廠複製到高雄廠量產。
根據台積電官網關於2奈米邏輯製程的藍圖，全新的節點計劃引入一些關鍵技術，包括：環繞式閘極 (GAA) 電晶體架構以及背面電源供應網路。其中，GAA電晶體技術的加入，象徵台積電將捨棄自22奈米以來，一直主導製程節點的鰭式場效電晶體 (FinFET) 設計。
儘管GAA提供更好的靜電控制和能源效率，但大規模製造奈米片或奈米線結構，就像蒙著眼睛穿針一樣困難；這是一個高度複雜的過程，作為一個先進節點，它還附加將缺陷降至最低的額外壓力。
不僅如此，台積電計劃將GAA與背面電源供應配對，這是一種將電源線，佈線在電晶體下方而非上方的複雜設計。這種巧妙的設計可釋放頂部信號的空間，但實施起來的挑戰絕對更高。
台積電2奈米首度採奈米片（Nanosheet）架構，目前正在竹科寶山廠試產，供應鏈傳出試產良率超過預期，明年將可如期量產，台積電預計將寶山廠生產經驗複製到高雄廠量產。
使用2奈米製程的晶片，預計在相同的電晶體數量和頻率下，比使用N3E製造的晶片消耗的功率減少25%至30%，在相同的電晶體數量和功率下，提供10%至15%的性能改進，並且與N3E製造的半導體相比，晶體管密度增加約15%，同時保持相同的速度和功率。
台積電在2奈米之後，也將推出同世代的A16製程，並將結合超級電軌（Super Power Rail）架構與奈米片電晶體，預計在2026年量產。
