AI帶動HBM需求爆發，看似與LPDDR5／5X屬於不同產品線，實際上卻正在爭奪同一批珍貴的DRAM晶圓產能。三星、SK海力士與美光為搶攻AI市場，持續將先進製程與晶圓資源轉向HBM4、HBM4E，使一般DDR5、LPDDR5X等產品可分配到的產能受到壓縮。
TrendForce預估，三大記憶體廠投入HBM的DRAM晶圓比重，將從2025年底約18%、2026年底22%，一路提高至2027年底約30%；但同期HBM僅約占整體DRAM bit供應13%。換句話說，HBM吃掉的晶圓產能遠高於它所增加的實際記憶體容量，形成明顯的「產能排擠效應」。
更值得注意的是，LPDDR5X本身也因AI出現新的需求來源。輝達Vera CPU開始採用LPDDR5X SOCAMM記憶體，SK海力士更已量產192GB SOCAMM2供應Vera Rubin平台。TrendForce指出，依三星、SK海力士、美光2027年初步產能配置，輝達能取得的LPDRAM供應量僅約能滿足自身需求的六成，甚至迫使輝達調降SOCAMM單一模組的記憶體容量。問題並不是需求變差，而是LPDDR5X產能不足。
這也意味著，2027年的記憶體市場可能同時出現「HBM搶晶圓、LPDDR5X又增加AI需求」的雙重壓力。TrendForce最新研究甚至認為，HBM與一般DRAM持續競爭有限的先進製程產能，加上新廠真正大量貢獻供給仍要等到2028年前後，2027年DRAM整體供需仍將維持緊張。
▲HBM與LPDDR5/5X產線差異
產能被HBM吃掉 誰最可能受惠？
第一波直接受惠者仍是三星、SK海力士與美光。三家公司同時掌握HBM與LPDDR5X供應，在兩種產品都缺貨的情況下，不僅可以將有限產能配置到報酬率較佳的產品，也握有更強的報價主導權。
但對台股而言，真正值得觀察的是第二供應來源能否趁缺口切入，而南亞科就是其中最具想像空間的一家公司。
南亞科目前正在推進第三代10奈米級DRAM製程，2026年目標包括16Gb DDR5達到出貨驗證標準，同時已有LPDDR5／5X產品布局。若三星、SK海力士與美光大量產能持續被HBM占用，而AI伺服器對LPDDR5X需求又持續增加，客戶尋找更多合格供應商的意願勢必提高，這正是南亞科切入高階低功耗DRAM市場的機會窗口。
中國長鑫存儲同樣可能承接部分LPDDR5X供給缺口，不過長鑫產能快速擴充也是南亞科最大的競爭變數。一旦中國LPDDR5X大量進入市場，原本因HBM排擠形成的價格紅利，就可能被新增供給部分抵銷。
至於威剛、十銓、宜鼎等記憶體模組廠，則屬於「需求受惠、成本也可能上升」的雙面刃。LPDDR5X滲透率提高可擴大高階模組市場，但若DRAM顆粒持續缺貨漲價，又無法順利將成本轉嫁給客戶，毛利率反而可能受到擠壓，因此不能單純視為LPDDR5X缺貨的直接受惠者。
優群則是另一條不同的受惠路徑。其SOCAMM2連接器與AI伺服器LPDDR5X模組架構高度相關，因此受惠關鍵並不是「DRAM漲價」，而是SOCAMM在AI伺服器中的滲透率提升。只要Vera Rubin及後續平台持續擴大SOCAMM應用，連接器需求便有機會跟著成長。
因此，HBM排擠效應真正值得觀察的受惠順序，可以分成三類：第一層是掌握HBM與LPDDR5X產能的三星、SK海力士、美光；第二層是有機會填補LPDDR5X供給缺口的南亞科與長鑫；第三層才是SOCAMM連接器與記憶體模組供應鏈。
對南亞科而言，真正的轉折點不是「LPDDR5X缺貨」這四個字，而是能不能趕在這個供給缺口仍存在時，完成產品驗證並進入量產。如果2027年HBM吃掉更多DRAM晶圓，而南亞科LPDDR5／5X又恰好完成驗證，這波產能排擠反而可能成為南亞科從傳統DRAM跨進AI記憶體市場的重要窗口。
▲HBM與LPDDR5/5X在AI伺服器裡的分工
