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2019-02-27

NAND Flash報價將破底翻62976

慘淡近兩年的NAND Flash市場,今年在供需調整下將走出景氣谷底,率先迎來新一波漲價潮,相關供應鏈有望搶搭本波資金行情。預期隨著NAND Flash控制IC廠群聯(8299)董事長潘健成近日漲價說逐步發酵,不僅群聯股價將越墊越高成為領漲指標,整個族群的評價也會跟著向上調整,上演底部大反攻戲碼。

潘健成表示不少系統廠和通路商擔心價格跌幅會加劇及美中貿易紛爭愈演愈烈,二○一八年下半年備貨都非常保守,庫存降到極低水位,但新年度還是得推出新產品衝刺暑假檔期商機,加上原廠減產,這一拉一收間,已讓主要系統廠在元月開始開始備貨,預估市場大量備貨會集中在第二季。屆時若美中貿易干擾逐步淡化,NAND Flash價格有望出現二年多年首見反彈(最快五月)。

在群聯董事長釋出NAND Flash漲價訊號的同時,全球第二大廠商東芝記憶體(TMC)也宣布準備於九月IPO,預估上市後市值將超過二兆日圓。以新股掛牌十點多選擇在產業景氣高峰或步出谷底階段的慣性來說,似乎也在預估NAND Flash產業景氣即將反轉向上,有望強化市場對產業復甦的信心。

記憶體容量跳升1TB 智慧型手機筆電化

事實上,今年NAND Flash市場需求的確有不少增長動能,為原來供需失衡的情況帶來改善的機會。首先,從小米、三星二月最新發表的旗艦機種規格來看(小米九及Galaxy S10 系列),可發現今年的記憶體容量備翻的新趨勢,標配從八GB+一二八GB或八GB+二五六GB起跳,頂規更來到十二GB+一TB。搭載記憶體的容量快速增長,主要來自多鏡頭的規格升級發展,四八○○度超廣角拍攝已將手機攝影及錄影水平向專業級昇華,加上短視頻、應用APP、遊戲等應用的增加。



在三星S10+將天花板拉高至一TB後,市場已預期硬體規格緊跟三星的華為也將跟進,甚至不排除改賣記憶體維生的蘋果,今年新款iPhone也有機會見到一TB的容量。隨著三星、華為旗艦機種將容量提升到一TB,主流規格有望移到一二八GB~五一二GB的區間。

eMMC價差收斂 智慧物聯網裝置容量也將翻倍

與四年前iPhone 6相比,旗艦機種Flash搭載容量從十六GB/一二八GB升級到五一二八GB/一TB,已快速翻了八倍,直逼筆電規格,智慧型手機可算是NAND Flash相當重要的應用市場。根據中國快閃記憶體研調機構ChinaFlashMarket預估,二○一八年NAND Flash存儲密度二二六○億GB當量,手機應用為主的嵌入式快閃記憶體就消耗了約四四%的NAND Flash產能,今年在三星、華為、小米等搭載容量升級的帶動下,NAND Flash產能將進一步被消耗,預估NAND Flash存儲密度可增長到三一○○億GB當量,年增三七%。

其次,低容量的eMMC需求同樣有倍增的機會。受NAND Flash供需失衡影響,二○一八年eMMC價格跌幅也達五○%,回到二○一六年的水準,甚至八GB與十六GB的價差,已從二○一七年的二美元收斂至目前近乎同價,終端製造廠將可用同樣的成本採購容量翻倍的eMMC,有助智慧音箱、智慧電視、智慧機上盒及智慧穿戴等大需求量的智慧物聯網裝置搭載更高容量的記憶體,提高使用者體驗。

價格甜蜜點來到 加快SSD取代HDD速度



除了行動裝置及智慧物聯網裝置記憶體搭載量倍增,有助NAND Flash產能消耗量外,隨著高容量的SSD價格向下破底(SSD則消耗四三%產能,二○一八年消費類主流SSD價格下跌逾五成),與傳產硬碟(HDD)價差大幅收斂,二○一八年SSD每GB價格跌破○‧一美元,HDD每GB則為○‧○三五美元,相當於二四○GB SSD與一TB HDD同價,市場預期今年有機會來到四八○GB與一TB HDD同價,進一步刺激SSD取代HDD的需求,尤其在筆電硬體規格升級有限的背景下,搭載SSD也已成為品牌廠的重要賣點之一。

ChinaFlashMarket預估,消費型SSD在筆電市場滲透率將可由二○一八年的五五%,提高至二○一九年的六五%。

另在企業級SSD市場,基於伺服器對數據高效儲存、快速處理、精準分析、深度挖掘等需求,二○一八年企業級SSD平均容量已逾二TB,約消耗NAND Flash總產能的二六%。隨SSD及HDD價差持續收斂,資料中心廠全面採用SSD意願也將跟著提高,配合伺服器市場緩步成長,企業級SSD市場需求用量成長趨勢不變。
二○一八年中國公安部起草的公安行業標準GA/T 1357-2018「公共安全視頻監控硬碟分類及試驗方法」已將SSD列入,可望提供SSD在中國公安監控儲存應用的發展潛力。由於HDD所有組成部分的技術幾乎都掌握在美國及日本廠的手中,甚至晶片也被美國Marvell獨家壟斷,中國無法保障自身的信息安全,加上儲存國產化自主可控及信息安全的政策目標,SSD在此應用取代HDD應是指日可待。

廠商庫存回補力道 為五月能否起漲關鍵

就整體市場來看,受到六四層製程的主流產品利潤遭受侵蝕,九六層良率仍有待改善、生產週期拉長等壓力,為了避免利潤持續衰退,NAND Flash原廠產出量已轉趨保守,降低對價格的壓力。今年第一季雖受淡季影響,價格仍維持下降趨勢,但因三星、威騰電子(WD)等控制產出及減少供貨,市場報價在二○一八年底已明顯止跌,今年首季跌幅將可縮小。預期在新旗艦機種翻倍容量及NAND Flash價格下滑刺激SSD替換HD等雙種需求帶動下,市場供需將轉向健康發展。



隨著市場需求回溫,加上原廠調整供給產出,下游通路已開始醞釀調漲動作,市場預期系統廠將從第二季起開始回補庫存,帶動NAND Flash價格自谷底反彈,第一季可能成為全年價格的最低點,至於能否如群聯董事長潘健成樂觀預期價格在五月出現反彈,仍需觀察未來廠商的回補力道才能確定。另從SSD報價來看,一~二月現貨市場跌幅已趨緩,部分非主流規格的產品價格穩定,顯示上游原廠的價格策略已開始調整。

群聯股價趨勢已先反轉 將成族群領漲指標

若從股價面觀察,率先喊漲的群聯,技術面已呈現頭肩底的型態,的確是有趨勢扭轉的跡象,近日若能有效突破二七○~二八○元頸線壓力區,勢必會大幅提高報價將反轉向上的可信度,進而增加資金的群聚效應,故群聯股價表現可視為操作NAND Flash族群的重要觀察指標。預期營運與產品用量相關度高的供應鏈,將會優先受惠,像是控制IC的群聯、晶豪科(3006)、鈺創(5351)以及封裝廠力成(6239)、華泰(2329)等。

群聯未來具有想像空間的基本面利多,還有傳輸介面的升級商機。近期三星發表的折疊手機Galaxy Fold已悄悄搭載全球首發UFS 3.0快閃記憶體(主打高性能、低功耗),今年主流旗艦晶片均支援(高通驍龍855和三星Exynos 9820均相容),去年已推出符合UFS 3.0控制晶片的群聯,有望搶先吃到此升級商機。

UFS3.0是首個引入了MIPI M-PHY HS-Gear4標準的閃存,單通道帶寬高達23.2Gbps,是UFS 2.0/2.1的兩倍,可滿足5G手機及先進駕駛輔助系統(ADAS)智慧汽車等日益增長的儲存需求。目前主流手機中的快閃記憶體有eMMC 5.1、UFS 2.0、UFS 2.1三種,旗艦機種通常採用UFS 2.1,實際順序讀取速度約在八百MB/s,UFS 3.0實際順序讀取速度能夠達到UFS 2.1閃存的二倍以上。在三星全球率先搭載UFS 3.0後,預期後續各品牌旗艦機種也將跟進,大規模商用時點有望在今年底出現(三星、東芝記憶體、威騰電子等原廠已陸續量產)。