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2019-02-27

產業前景看佳  法人大戶偏多不變62980

新春開紅盤以來,一月四日指數跌破九四○○點關卡,再探九三一九低點時,全市場一片悲觀,甚至反手放空者比比皆是,但是我看多,我看將有千點反彈的大行情可期,果然這一波指數從九三一九點觸底反彈大漲以來,至今已大漲千餘點。

雖然二二八長假台股不開盤,展望後市,除了美中貿易談判獲得重大突破與進展,另外,內外資法人大戶力挺偏多的企圖心並沒有改變,尤其外資自去年大賣台股高達三六八六.三四億元後,今年以來,隨著買盤積極回流,截至二月二十二日,買超金額已達一一三三.六二億元,台指期淨多單也達六萬口以上,且買超偏多的心態未見改變。

再者,隨著美中貿易戰有解、MWC(世界通訊行動大會)登場、5G通訊題材持續延燒,在競相爭取於今、明兩年可望正式商轉下,AI、5G、多鏡頭、屏下指紋辨識、摺疊機與全螢幕、窄邊寬設計等題材持續吸睛,配合高現金殖利率題材及雙軋行情如火如荼啟動,多方氣勢如虹,顯見後市行情仍不容小覷!

【個股推薦】嘉晶(3016)磊晶產量為世界第二大,主要利基題材有:

(1)業績表現亮眼:二○一八年前三季EPS達一.二四元,較前年同期大幅成長近二倍,全年營收達四五.二四億元,年增三五.三三%,優於市場預期。

受惠於MOSFET及IGBT等功率元件強勁需求、市場供不應求、報價調漲、國際IDM大廠擴大委外代工,以及因應電動車及自駕車、5G高速通訊、人工智慧及高效能運算(AI/HPC)等新應用快速崛起,包括英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semi)、德州儀器等提前卡位第三代半導體關鍵材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)市場,嘉晶已投入GaN及SiC的矽晶圓及晶圓代工技術多年,掌握致勝先機,今年營運持續爆發大成長可期。

(2)為國內唯一同時提供碳化矽、氮化鎵兩種磊晶製程廠商:碳化矽於1200伏特以上的高壓背景環境,具十分顯著的應用優勢,並可減少高達八五%的切換能源損失,非常適合運用於電動車、高鐵、超高壓直流輸送電、工業電機、智能電網、航空航太等高壓電力(高功率)應用領域。氮化鎵則主要應用於600~1000伏特工作電壓區間。

對應SiC、GaN基材材料特性所發展出的功率半導體晶片,如:MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)、IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等,於產業界、市場發展功率半導體應用時,亦將因基材特性提升、導入應用效果優化,超越以往的應用限制。因SiC、GaN基材具備更佳:低電流阻抗(膜厚漂移層(drift diffusion)更可薄化,進一步降低電流阻抗值)、高電能轉換效率、耐高溫及低過熱風險(因為寬能隙)、耐高壓(因擊穿電場高)等運作(轉)優勢,結合動力模組的體積、重量同步縮減下,有利電動車進一步延長「單次充電後行駛距離」,亦間接有助於全球電動車市規模持續擴大。因此,誰能夠掌握碳化矽與氮化鎵關鍵技術,將可望帶動未來營運及獲利大爆發。

(3)營運前景看俏:根據券商報告表示,預估未來五年碳化矽與氮化鎵功率元件與模組的年複合成長率為二一%、八三%,嘉晶除了四吋SiC碳化矽、六吋氮化鎵已正式出貨外,今年將更進一步導入六吋碳化矽磊晶製程。

【操作建議】低接不追高,雖股價已累積一段不小漲幅,在內外資法人大戶力挺偏多不變,以及雙軋行情啟動(截至二月二十二日,融券餘額達五一一六張,券資比達四九.○九%),後市股價只要守穩月線或季線不破,且「控盤指標」及「攻擊力道」可續維持翻紅強勢攻堅態勢,預期仍有軋空大漲再漲一波機會可期(※基本面資料若有異動,依公開資訊觀測站最新訊息為主)。設好停損停利(詳見附圖說明)。