▲圖片來源：台半法說會資料
日經新聞7日報導，三菱化學、JSW將擴增使用於次世代功率半導體基板的GaN產能，目標在2027年將產能擴增5成（和2026年相比），開拓來自電動車（EV）、資料中心電源的需求。另外，根據車市相關新聞，油電車(HEV)銷量正大幅成長，近年因純電車充電焦慮與價格考量，油電車已於2024年衝破10萬輛，汽車「電動化」勢不可擋，車商表示，綜合考量使用成本、便利性，預期油電車在2030年左右，銷售佔比將跳升至總市場的50%，相當於每賣出2輛車就會有1輛是油電車；另外，理周投研部整理台半法說的資料指出，油電車使用MOSFET的當量數量(TTL)為傳統燃油車的1.67倍，純電車使用MOSFET的當量數量為傳統燃油車的2.67倍。
理周投研部整理回顧，功率元件類股的相關資訊，主要有四，簡述如下：
一、2025年安世半導體事件的轉單潮持續發酵
二、AI伺服器電源架構從54V轉向800V，需要的相關零件都有結構性需求存在
三、今年4月底傳出，大陸功率元件大廠揚傑科技遭歐洲制裁的轉單潮
四、油電車在2030年之前，每兩台車銷售，就有一台油電車；而油電車使用MOSFET的當量數量為傳統燃油車的1.67倍。
在結構需求轉換的時間軸上，通常會看到需求數量上的顯著增長，而股價的邏輯，一旦趨勢確認，轉變就不容易，屬於長期現象。
整理功率元件、GaN晶圓代工或磊晶相關類股如下：
公司(代號) 營運項目
強茂(2481) 整流元件、MOSFET，垂直整合IDM
德微(3675) TVS保護元件、二極體、AI電力保護題材
台半(5425) 車用分離式元件、整流二極體
富鼎(8261) 中高壓MOSFET
大中(6435) MOSFET
尼克森(3317) MOSFET
虹揚-KY(6573) 橋式整流器、二極體
朋程(8255) 車用整流、發電機二極體
杰力(5299) 電源管理IC、MOSFET相關
順德(2351) 功率導線架、車用/工控/AI電源相關
界霖(5285) 功率導線架、車用導線架
晶焱(6411) 保護元件
漢磊(3707) GaN晶圓代工
嘉晶(3016) GaN磊晶片
環球晶(6488) GaN基板/磊晶片
台亞(2340) GaN功率元件
宏捷科(8086) RFGaN/GaN on SiC布局
最後，理周投研部整理LED製程、光通訊製程與功率半導體的氮化鎵的異同之處，讓讀者了解氮化鎵在這三個領域的差異，詳細內容如下：
氮化鎵(GaN)廣泛應用於LED、光通訊與功率半導體三大領域。三大領域的核心材料皆為GaN，但因終端應用目的不同，導致磊晶基板、元件結構與製造工藝存在顯著差異。
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比較項目 |
LED(發光二極體) |
光通訊(如高頻 PA/雷射) |
功率半導體(如高頻開關/充電器) |
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主要功能 |
將電能轉換為光能(發光) |
高頻訊號放大、光電訊號轉換 |
電能轉換、電壓控制與功率放大 |
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磊晶基板 |
藍寶石(Sapphire)或GaN-on-Si |
碳化矽(SiC)或砷化鎵(GaAs) |
矽(Si)或碳化矽 (SiC) |
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元件結構 |
多層量子井 (MQW) |
HEMT(高電子遷移率電晶體) |
HEMT或垂直型 MOSFET |
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關鍵製程重點 |
光萃取效率、晶圓接合 |
高頻特性、微波射頻性能 |
耐高壓、低導通電阻、散熱 |
共通之處（同）同屬第三代半導體材料：皆利用氮化鎵(GaN)本身高崩潰電壓、高電子飽和速度與寬能隙特性。依賴磊晶技術：製程關鍵皆在於如何在高溫下於異質基板上，長出高品質、低缺陷密度的GaN磊晶層。金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)：三大領域在長晶階段，核心設備高度重疊，均極度依賴MOCVD機台進行原子層級的薄膜成長。
細部製程與應用差異1. LED製程(光電子領域)應用著眼點：專注於發光效率、波長穩定性與亮度。基板材料：傳統多使用絕緣的藍寶石，近年為降低成本也發展 GaN-on-Si(矽基氮化鎵)。製程特點：利用多層磊晶成長形成「多重量子井(MQW)」結構。為提升光輸出效率，常需配合微機電與晶圓接合技術，移除基板或進行表面粗化處理。2.光通訊製程(射頻與光電領域)應用著眼點：專注於高頻寬、低訊號衰減與高輸出功率(如5G基地台、光纖收發器）。基板材料：多採用SiC (碳化矽) 基板。SiC具備極高的導熱率，能快速散去高頻運作時產生的熱能。製程特點：多採用HEMT(高電子遷移率電晶體)結構。製程極度要求微波與射頻特性，包含閘極長度的精密微縮(奈米級製程)，以及極高的絕緣和寄生電容抑制能力。3. 功率半導體製程(電力電子領域)應用著眼點：專注於耐高壓、大電流、低導通電阻及高頻切換(如電源供應器、電動車逆變器)。基板材料：為了降低成本並與傳統矽產線相容，目前主流為GaN-on-Si；而在車載與工控等極高壓領域，則會選用散熱更佳的GaN-on-SiC。製程特點：同樣多採用HEMT結構，利用異質接面產生的「二維電子氣(2DEG)」來實現超高速導通。製程核心在於改善耐壓絕緣層，以及透過特殊磊晶技術減少電流崩塌(Current Collapse)現象。
▲圖片來源：CMoney台半(5425) K線圖
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