電影《教父》中，最廣為人傳的金句之一就是「花半秒鐘就看透事物本質的人，和花一輩子都看不清事物本質的人，注定是截然不同的命運。」
要培養辨別假新聞的能力
兩週前，市場因一則「長江存儲(YMTC)啟動第三廠搶攻記憶體需求」的新聞，讓記憶體族群有如驚弓之鳥股價紛紛跳水，但只要花三秒鐘查資料，就會發現整篇新聞根本邏輯不通。
YMTC以營收(2025/Q2)計算全球市占率9%，約全球排名第六的NAND製造商，在DRAM領域是零。而中國另一家公司長鑫存儲(CXMT)以營收(2025/Q2)計算全球市占率僅5%，全球排名第四的DRAM製造商。
重點是，YMTC已經被美國政府列入多項制裁與限制「實體清單」(Entity List)，無法購買、進口或轉移美國的技術、軟體和設備，直接切斷其獲取先進半導體製造設備(Applied Materials、Lam Research)的管道，已嚴重阻礙它推動先進製程(如128層以上3D NAND)的能力。
更別說，NAND Flash(快閃記憶體)與DRAM(動態隨機存取記憶體)在製程核心邏輯、關鍵設備配置，以及最核心的IP專利上是兩個不同世界，長江存儲(YMTC)是在搶攻個「ㄉㄜ」記憶體需求。
日系化材為生產DDR4命脈
更好笑的是，中國駐大阪總領事薛劍對日本首相高市早苗女士的斬首言論，簡直跟慶餘年第二季裡負責北齊諜報網的郭保坤有得一拚，讓中日關係最少倒退十年。而生產DDR4時無法繞過日本供應的三大關鍵材料，第一項是ArF(氟化氬)等級光阻劑(Photoresist)。此領域日本廠商(JSR、東京應化工業TOK、信越化學、住友化學)掌握全球90%以上市占率，在化學配方穩定性、純度及與曝光機適配性上是絕對霸主，是生產DDR4絕對關鍵，如果換掉日系光阻劑，曝光顯影出來的線路邊緣會變得粗糙(LER)，導致DDR4顆粒漏電、速度達不到3200MHz標準、良率直接崩盤。
第二項是DDR4晶片封裝時需用的IC Substrate，而載板核心材料是BT樹脂。此材料耐熱性極好、尺寸穩定，日本在這材料上擁全球幾乎近100%市占，主要是三菱瓦斯化學(Mitsubishi Gas Chemical, MGC)與日立化成(Hitachi Chemical)。如果沒有MGC樹脂，封裝廠根本做不出高品質的記憶體載板，這是真正「卡脖子」的關鍵材料。
第三項是用於蝕刻和清洗晶圓表面的超高純度氫氟酸(High Purity Hydrogen Fluoride)，針對12N這種極致純度等級，日本廠Stella Chemifa和森田化學(Morita)掌握提純的關鍵專利。
DDR4的電容結構很深，清洗若不乾淨，殘留微小雜質，記憶體顆粒會成「次級品(Downgrade)」，只能賣低價，無法做成高品質模組。一言以蔽之，生產DDR4如果想賺錢，「高良率」是重中之重，光阻劑和BT樹脂這兩樣東西，從目前現實面講，就是非日本不可。
全球DRAM供應鏈頭部業者(Samsung/SK Hynix/Micron)的CAPEX配比，正在重置優先順序，HBM取代DDR4/5成為資本支出的重心非短暫現象，是結構性選擇，是不可逆的結構性位移。
DDR4供應不足已是必然
「HBM」持續拉升、「DDR5」有基本盤但投資相對縮小、「DDR4」頭部玩家共識不再擴產(只維持必要產能)，這不僅是今年的敘事，更是未來五至十年主路線圖。
所以DDR4的供應不足是必然結果，與市場恐不恐慌沒半毛錢關係，因為供應鏈上在發生的不是「事件」、不是「新聞」、不是「情緒」，是全球資本支出結構性重分配，而這種決策邏輯是不會被一篇新聞而改變的。
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