歐洲晶片產業正積極推動開放資源共享，FAMES（歐洲先進微電子產品和系統促進計畫）試產線於今日宣布啟動 2026 年度的開放資源徵集計畫，邀請歐洲半導體產業的參與者加入，共同推動新晶片架構的發展，提升歐洲的技術自主性。該計畫於線上舉行啟動活動，向研究人員、學術界和產業界團隊詳細介紹目前可用的技術，以及申請使用試產線的流程。
繼 2025 年開放資源徵集計畫獲得廣泛迴響與初步成果後，2026 年的計畫將新增四套製程設計套件（PDK），並在整合射頻濾波器和開關，以及電源管理積體電路（PMIC）元件等領域，提供最新的研究成果。設計公司、無晶圓廠、晶圓代工廠、整合元件製造商、材料和工具供應商、大學和研究中心，可透過響應為期兩個月的開放資源徵集（今日起），或於全年提交自發性使用者請求，來提交使用者請求。
開放資源徵集將於每年春季舉行，持續至 2028 年，屆時將更新 FAMES 可用技術的組合。今年的開放資源徵集提供以下製程設計套件：
- 15 GHz 鈮酸鋰體聲波諧振器（BAW-SMR）濾波器 PDK 和 7-15 GHZ 氮化鋁/氮化鈧 BAW 射頻濾波器 PDK，使這些最先進的小型化射頻元件，在 FR3 範圍內具有帶通濾波功能，可供晶片生態系使用。
- 相變材料射頻開關 PDK，允許使用者設計自己的展示樣品，並首次將其整合到高電阻 300 毫米矽晶圓上。
- FAMES 的矽磁性元件 MagIC 技術研發樣品和後續 PDK，使用戶能夠將微型電感器直接整合到其電源管理系統單晶片上，最接近 SoC 負載。
- FD-SOI（全耗盡型絕緣上覆矽）10 奈米探路 PDK（Pathfinding PDK）版本 1，用於測試這種先進低功耗技術節點的能力。
開放資源主席 Susana Bonnetier 表示，2026 年的開放資源徵集，透過兩年成功的研發成果，以更豐富的技術，支持歐盟的自主技術實力。今年的射頻元件 PDK 尤其值得關注，因為參與者將首次能夠存取和測試自主設計的 7-15 GHz 聲學射頻濾波器和 PCM 開關技術。
Bonnetier 解釋說，使用者還可以測試將微型電感器直接整合到其電源管理 IC 上，對供電效率的影響，並透過現在可供授權和交付的探路 PDK，探索 FD-SOI 10 奈米技術節點的性能優勢。FAMES 計畫由 Chips Joint Undertaking（Chips JU）於 2023 年 12 月啟動，並由 CEA-Leti 協調，旨在實現半導體創新的戰略躍進，同時加強歐洲的產業領導地位。FAMES 計畫有兩個主要目標：
- 為歐洲提供用於先進技術的國內半導體試產線，提供：10 奈米和 7 奈米節點的兩代 FD-SOI 技術、金屬互連中各種非揮發性記憶體（NVM）選項、射頻元件（被動元件、開關和射頻濾波器），以及 3D 技術堆疊選項（3D 循序整合和 3D 異質整合）。七個應用驅動的展示樣品，用於大腦運算介面、雷達、神經形態運算、網路安全和光通訊網路。
- 推廣 FAMES 試產線技術，並使歐洲有機會在廣泛的半導體市場上，遵循電子產品的小型化演進，從而加強歐洲的領導地位，並開創新的機會。
除了位於法國的試產線協調機構 CEA-Leti 之外，FAMES 聯盟還包括 imec（比利時）、Fraunhofer（德國）、Tyndall（愛爾蘭）、VTT（芬蘭）、CEZAMAT WUT（波蘭）、UCLouvain（比利時）、Silicon Austria Labs（奧地利）、SiNANO Institute（法國）、Grenoble INP（法國）和格拉納達大學（西班牙）。
