高頻技術傲視全球 邁入爆發成長期50473' />
自美國回台上櫃的磊晶廠英特磊，挾著生產技術核心競爭優勢，研發具利基市場的三五族化合物半導體磊晶，應用領域由通訊拓展至航太與國防。康 潤 生學歷：美國麻州ADL管理學院碩士、台灣東吳大學經濟研究所碩士 經歷：國科會科學園區管理局投資組組長、漢鼎公司(H&Q台灣)執行副總、美國德州Polytronix Inc.董事執行總經理現職：英特磊董事長英特磊(4971)主要生產技術採分子束磊晶法(ＭＢＥ)，與其他採用化學氣相沉積法(ＭＯＣＶＤ)大不相同，兩種技術各有其優劣，但隨著通訊產品走向高頻傳輸，將使得ＭＢＥ製程技術優勢大為凸顯，英特磊董事長康潤生表示，高頻市場發展趨勢，將帶動公司未來五年爆發性成長！英特磊總經理高永中表示，由客戶端採購長約觀察，高頻市場已漸漸邁向快速成長期。以下為採訪概要。《理財周刊》問(以下簡稱問)：核心技術是英特磊強調的競爭優勢，可否細談具備哪些優勢？康潤生答(以下簡稱康)：我們是一家「務本」的公司，知道自己的專業強項在哪裡，所以我們專精投入ＭＢＥ技術研發，深入搞懂製程後，我們再向設備端投入，親自設計研發合宜的設備，一來有效運用設備將效能極大化，二來有助於產品品質與良率。而且我們在產品研發初期就相當謹慎，慎選材料，並先研究產品的發展與應用，早在市場開啟之前，我們就已完成產品開發，才有機會吃下市場。高永中答(以下簡稱高)：我們的生產設備都是自行設計，以及百分之百自行組裝，因為我們對設備的了解，所以在下世代產品研發上具競爭力，目前三大產品線砷化鎵、磷化銦、銻化鎵，以及正在研發中的下世代新材料，都是利基於我們對技術以及設備的專業。磷化銦 高頻傳輸市場利器問：ＭＢＥ較ＭＯＣＶＤ有何優勢之處？高：在成本上兩者差不多，但當產品走向高頻後，ＭＢＥ製程優勢將會大大凸顯，主要因ＭＢＥ在精確度和磊晶層厚度的精準度都優於ＭＯＣＶＤ，且ＭＯＣＶＤ成長腔體表面所殘存的雜質，會在下一次成長中釋放出來，造成所謂的記憶效應；若產品線轉換時就必須徹底清潔與零件更換，嚴重影響機台生產的靈活調配。而ＭＢＥ無記憶效應，對工廠量產彈性調度上有利。此外，ＭＯＣＶＤ目前在生產高頻率產品上，面臨相當的限制，所以目前都以生產功率放大器等低階產品為主，主要因ＭＯＣＶＤ較ＭＢＥ難精確控制，大大影響產品效能。如果市場朝高頻產品發展，ＭＢＥ製程優勢會更顯現！而我們研發的磷化銦產品將迎合大量數據傳輸的趨勢，隨市場成長。高通近期也開始採用磷化物晶片，可以預期市場已開始慢慢起來，之後就會進入快速成長期。問：英特磊磷化銦產品領先對手約有幾年？高：磷化銦大概領先同業三至五年，產品領先，這塊市場短期間內，別人拿不走！康：我們研發新材料、新產品的時間都比市場早，在產業發展前就先投入研發，這也是為何我們可以拿下長期大單。問：公司目前客戶有哪些？以及未來幾年的營收成長率？康：我們目標未來每年複合成長率達三成目標。二○一一年以前，公司營收成長幅度維持在三成左右，後續我們將維持三成的成長動能。長期穩定的客戶群將是公司未來成長主因，我們不會盲目追求大單。高：在客戶面，高頻晶片大廠TriQuent、Skyworks、Agilent都已是我們的客戶，其中Agilent更是拿下五年數億元的獨家供貨長單，今年再新增TriQuent大客戶。
